Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 135 A, 100 V P TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB23,380.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,016.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 - 800THB29.225THB23,380.00
1600 - 1600THB28.348THB22,678.40
2400 +THB27.214THB21,771.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
259-2586
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPB043N10NF2SATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

135A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Channel Mode

P

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFETs are optimized for a broad range of applications like SMPS, motor drive, battery powered, battery management, UPS, and light electric vehicles. This new technology offers up to 40 percent RDS(on) improvement and up to 60 percent lower Qg compared to the previous StrongIRFET devices, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices translating to lower BOM costs and board savings.

Broad availability from distribution partners

Excellent price/performance ratio

Ideal for high and low switching frequencies

Industry standard footprint through-hole package

High current rating

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง