Infineon IPA Type N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V N, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 258-3775
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,821.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,019.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB56.435 | THB2,821.75 |
| 100 - 100 | THB50.786 | THB2,539.30 |
| 150 + | THB45.716 | THB2,285.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3775
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPA | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPA | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 800V CoolMOS CE is high performance device family offering 800 volts break down voltage. The CE targets consumer electronics applications as well as lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS family, Infineon combines long experience as the leading super junction MOSFET supplier with best-in-class innovation.
Low specific on-state resistance
Very low energy storage in output capacitance @ 400V
High reliability
Ease-of-use
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-220 IPA80R1K0CEXKSA2
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-220 IPA80R650CEXKSA2
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R180P7XKSA1