Infineon IPA Type N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V N, 3-Pin TO-220 IPA80R1K0CEXKSA2
- RS Stock No.:
- 258-3776
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB137.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB146.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB68.505 | THB137.01 |
| 10 - 18 | THB61.495 | THB122.99 |
| 20 - 28 | THB49.46 | THB98.92 |
| 30 - 38 | THB46.785 | THB93.57 |
| 40 + | THB39.105 | THB78.21 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3776
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | IPA | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series IPA | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 800V CoolMOS CE is high performance device family offering 800 volts break down voltage. The CE targets consumer electronics applications as well as lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS family, Infineon combines long experience as the leading super junction MOSFET supplier with best-in-class innovation.
Low specific on-state resistance
Very low energy storage in output capacitance @ 400V
High reliability
Ease-of-use
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-220 IPA80R650CEXKSA2
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R180P7XKSA1
