Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 257 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC014N06NSTATMA1
- RS Stock No.:
- 258-0681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC014N06NSTATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB87.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB93.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,640 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB87.38 |
| 10 - 99 | THB84.75 |
| 100 - 249 | THB81.37 |
| 250 - 499 | THB76.49 |
| 500 + | THB71.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC014N06NSTATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 257A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.45mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 257A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.45mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.
Low RDS(on)
Optimized for synchronous rectification
Longer life time
Highest efficiency and power density
Highest system reliability
Thermal robustness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906BDT-T1-GE3
