Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 257 A, 60 V, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 258-0680
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC014N06NSTATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB525,285.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB562,055.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB105.057 | THB525,285.00 |
| 10000 - 10000 | THB101.905 | THB509,525.00 |
| 15000 + | THB98.848 | THB494,240.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0680
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC014N06NSTATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 257A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.45mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 257A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.45mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.
Low RDS(on)
Optimized for synchronous rectification
Longer life time
Highest efficiency and power density
Highest system reliability
Thermal robustness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin TDSON BSC014N06NSTATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC052N03LSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC015NE2LS5IATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON