Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 20 V TO-252 IRLR6225TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9462
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR6225TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB221.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB236.975
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 130 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB44.294 | THB221.47 |
| 50 - 95 | THB39.224 | THB196.12 |
| 100 - 245 | THB30.824 | THB154.12 |
| 250 - 995 | THB30.19 | THB150.95 |
| 1000 + | THB20.046 | THB100.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9462
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR6225TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 63W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 63W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLR series is the 20V single n channel HEXFET power mosfet in a D-Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252 AUIRFR8403TRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252 IRLR120NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252
