Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V TO-263
- RS Stock No.:
- 257-9439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7540TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB27,040.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,933.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 1600 | THB33.801 | THB27,040.80 |
| 2400 - 4000 | THB30.243 | THB24,194.40 |
| 4800 + | THB29.947 | THB23,957.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7540TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.1mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 88nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.1mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 88nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a Lead Free D2 Pak package.
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS7540TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR7540TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263