Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V TO-252
- RS Stock No.:
- 257-5550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR7540TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB41,336.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,230.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB20.668 | THB41,336.00 |
| 4000 + | THB19.486 | THB38,972.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR7540TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET power MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Lead-free, RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR7540TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS7540TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRLR3636TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR1018ETRPBF