Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V TO-263 IRFS38N20DTRLP
- RS Stock No.:
- 257-9428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS38N20DTRLP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB242.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB259.144
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 652 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB121.095 | THB242.19 |
| 10 - 48 | THB95.215 | THB190.43 |
| 50 - 98 | THB93.365 | THB186.73 |
| 100 - 248 | THB80.24 | THB160.48 |
| 250 + | THB78.575 | THB157.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS38N20DTRLP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 54mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel IR mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB38N20DPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3415PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 43 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 43 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP3415PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3806TRLPBF
