Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V, 3-Pin TO-263 IRF3415STRLPBF

Name: Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V, 3-Pin TO-263 IRF3415STRLPBF
Brand: Infineon
SKU: 258-8194
Availability: InStock

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 25 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 10%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB394.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB422.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

มีในสต็อก

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
5 - 20	THB78.878	THB394.39	-
25 - 45	THB70.91	THB354.55	10%
50 - 95	THB69.504	THB347.52	11%
100 - 245	THB56.982	THB284.91	27%
250 +	THB55.844	THB279.22	29%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	43A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.042Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Maximum Power Dissipation Pd	200W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	EIA 418
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 43A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.042Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Maximum Power Dissipation Pd 200W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals EIA 418
	Automotive Standard No

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง