Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V, 3-Pin TO-263 IRF3415STRLPBF
- RS Stock No.:
- 258-8194
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3415STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB512.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB548.045
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB102.438 | THB512.19 |
| 25 - 45 | THB92.09 | THB460.45 |
| 50 - 95 | THB90.264 | THB451.32 |
| 100 - 245 | THB74.002 | THB370.01 |
| 250 + | THB72.524 | THB362.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-8194
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3415STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.042Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | EIA 418 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.042Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals EIA 418 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3415PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263 IRFS52N15DTRLP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4115TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
