Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB38N20DPBF

RS Stock No.:: 827-3944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB38N20DPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB38N20DPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB525.84

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB562.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB105.168	THB525.84
15 - 20	THB102.538	THB512.69
25 +	THB100.962	THB504.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-3944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB38N20DPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	43A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	54mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	60nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Height	16.51mm
	Width	4.69 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 43A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Height 16.51mm
	Width 4.69 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 43A Maximum Continuous Drain Current, 300W Maximum Power Dissipation - IRFB38N20DPBF

This MOSFET is designed for high efficiency and effective thermal management in varied applications. Its robust enhancement mode N-channel design allows for considerable continuous drain currents while ensuring low on-resistance. This component is well-suited for power management solutions, enhancing performance and dependability in numerous electronic environments.

Features & Benefits

• Supports a maximum continuous drain current of 43A

• Provides a low Rds(on) of 54mΩ to minimise energy loss

• Capable of withstanding drain-source voltages up to 200V

• High operating temperature tolerance ranging from -55°C to +175°C

• Designed for high-speed switching applications with low gate charge

• Integrates effectively into DC-DC converters and power supplies

Applications

• Utilised in high-frequency DC-DC converters for efficient power management

• Suitable for in plasma display panels

• Employed in industrial automation systems requiring consistent switching

• Used in power supplies where thermal efficiency is crucial

• Ideal for electronic designs needing high performance at elevated temperatures

What kind of currents can it handle in high-temperature applications?

It can manage up to 30A continuous drain current at 100°C, ensuring consistent performance under elevated temperatures.

How does this component perform in high-frequency applications?

It is explicitly designed for high-speed switching, featuring low gate charge and minimal delay times, making it appropriate for such applications.

What packaging options are available for this product?

It is available in a TO-220AB package, facilitating through-hole mounting for easy integration into electronic circuits.

Can this be used in conjunction with other power management devices?

Yes, it is frequently used alongside various DC-DC converters to enhance efficiency in power delivery systems.

What measures should be taken for installation?

Ensure proper thermal management is in place, including heatsinking, to maintain optimal junction temperatures during operation.