Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V TO-252
- RS Stock No.:
- 257-9405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR3607TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB43,520.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB46,560.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | THB21.76 | THB43,520.00 |
| 6000 - 10000 | THB20.111 | THB40,222.00 |
| 12000 + | THB20.086 | THB40,172.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9405
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR3607TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFR series is the 75V single n channel HEXFET power mosfet in a D Pak package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-252 IRFR3607TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFS3607TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU3607PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3607PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-252
