Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 131 A, 55 V TO-263 IRF1405STRLPBF
- RS Stock No.:
- 257-9276
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-516
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1405STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*
THB369.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB395.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 675 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB73.96 | THB369.80 |
| 25 - 45 | THB66.792 | THB333.96 |
| 50 - 95 | THB65.464 | THB327.32 |
| 100 - 245 | THB56.368 | THB281.84 |
| 250 + | THB55.224 | THB276.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9276
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-516
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1405STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 131A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.3mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 131A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 55V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD029N04NF2SATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC037N08NS5ATMA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- onsemi NTMFS N-Channel MOSFET 100 V N, 5-Pin DFN NTMFS3D6N10MCLT1G