Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 85 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010NSTRLPBF
- RS Stock No.:
- 165-8197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1010NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,289.60
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB21,503.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB23,008.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | THB26.879 | THB21,503.20 | - |
| 1600 - 2400 | THB26.073 | THB20,858.40 | THB1,289.60 |
| 3200 + | THB25.291 | THB20,232.80 | THB5,081.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-8197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1010NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 180W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 11.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 180W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 11.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4321PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V TO-263 IRFS4321TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V PQFN IRFH7545TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3805STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ZSTRLPBF
