Vishay SI5936DU Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- RS Stock No.:
- 256-7376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5936DU-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB35,883.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB38,394.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB11.961 | THB35,883.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5936DU-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SI5936DU | |
| Package Type | PowerPAK ChipFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.04Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 10.4W | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.85mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SI5936DU | ||
Package Type PowerPAK ChipFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.04Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 10.4W | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.85mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay SI5936DU Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 6A Maximum Continuous Drain Current - SI5936DU-T1-GE3
This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for switching and power-management roles in electronic systems. It operates as a low-resistance switch suitable for Compact board assemblies, offering a balance of current handling and voltage rating for a range of industrial control and power-conversion tasks.
Features and Benefits:
• 30V rating enables intermediate-voltage switching for control circuits • 6A continuous drain current supports moderate load currents • 0.04Ω Rds(on) reduces conduction losses during operation • 3.5nC typical gate charge for fast, low-energy switching • 10.4W power dissipation allows sustained thermal loading • +150°C maximum operating temperature tolerates high-temperature environments
Applications
• Suitable for motor drive gate-stage switching in automation systems • Ideal for DC-DC converters in industrial power supplies • Used for load switching in embedded control modules • Can be used for power-management in test and measurement equipment
What mounting format does it require on a PCB?
It uses a surface-mount package with an 8-pin footprint suited to automated assembly and Compact layouts.
How does the gate-charge Value affect drive requirements?
A 3.5nC typical gate charge means lower gate-drive energy and Faster transitions compared with higher-Qg devices, reducing gate-driver sizing and switching losses.
What environmental temperature range can it withstand?
It is rated for operation from -55°C up to +150°C, allowing use across wide thermal conditions without derating within that span.
What maximum gate-to-source voltage can I apply?
The device accepts up to 20V between gate and source, defining the allowable drive amplitude for safe operation.
What mechanical package type is provided for heat dissipation?
It is supplied in a PowerPAK ChipFET package that aids thermal transfer for higher dissipation levels.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5936DU-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5448DU-T1-GE3
- Vishay Si5418DU Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- Vishay Si5419DU Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5442DU-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin ChipFET
