Vishay SI5936DU Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET

RS Stock No.:: 256-7376
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI5936DU-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SI5936DU Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB41,532.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44,439.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB13.844	THB41,532.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 256-7376
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI5936DU-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK ChipFET
	Series	SI5936DU
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.04Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	10.4W
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Height	0.85mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK ChipFET
	Series SI5936DU
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.04Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 10.4W
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Height 0.85mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SI5936DU-T1-GE3

Vishay SI5936DU Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 6A Maximum Continuous Drain Current - SI5936DU-T1-GE3

This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for switching and power-management roles in electronic systems. It operates as a low-resistance switch suitable for Compact board assemblies, offering a balance of current handling and voltage rating for a range of industrial control and power-conversion tasks.

Features and Benefits:

• 30V rating enables intermediate-voltage switching for control circuits • 6A continuous drain current supports moderate load currents • 0.04Ω Rds(on) reduces conduction losses during operation • 3.5nC typical gate charge for fast, low-energy switching • 10.4W power dissipation allows sustained thermal loading • +150°C maximum operating temperature tolerates high-temperature environments

Applications

• Suitable for motor drive gate-stage switching in automation systems • Ideal for DC-DC converters in industrial power supplies • Used for load switching in embedded control modules • Can be used for power-management in test and measurement equipment

What mounting format does it require on a PCB?

It uses a surface-mount package with an 8-pin footprint suited to automated assembly and Compact layouts.

How does the gate-charge Value affect drive requirements?

A 3.5nC typical gate charge means lower gate-drive energy and Faster transitions compared with higher-Qg devices, reducing gate-driver sizing and switching losses.

What environmental temperature range can it withstand?

It is rated for operation from -55°C up to +150°C, allowing use across wide thermal conditions without derating within that span.

What maximum gate-to-source voltage can I apply?

The device accepts up to 20V between gate and source, defining the allowable drive amplitude for safe operation.

What mechanical package type is provided for heat dissipation?

It is supplied in a PowerPAK ChipFET package that aids thermal transfer for higher dissipation levels.