Vishay SI5936DU Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5936DU-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB42,237.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB45,195.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB14.079THB42,237.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
256-7376
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI5936DU-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SI5936DU

Package Type

PowerPAK ChipFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.04Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

10.4W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.85mm

Automotive Standard

No

Vishay SI5936DU Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 6A Maximum Continuous Drain Current - SI5936DU-T1-GE3


This MOSFET is a surface-mount N-channel switching transistor designed for power-management duties in compact electronic assemblies. It operates across a wide ambient range and is intended for applications requiring efficient low-voltage switching and heat-handling in tight footprints.

Features and Benefits:


• 30V rating enables robust low-voltage switching capability
• 6A continuous current supports moderate power delivery
• 0.04 Ω Rds(on) minimises conduction losses
• 3.5 nC typical gate charge allows fast gate transitions
• 10.4W maximum dissipation handles significant thermal load
• 20V gate tolerance permits flexible drive-voltage choices

Applications


• Suitable for DC-DC converter output stage use
• Ideal for battery-management and power-path control
• Used with motor-driver stages for low-voltage motors
• Can be used for load switching in telecoms equipment
• Appropriate for compact power modules with height constraints

What package format should I plan for in PCB layout?


The device arrives in a PowerPAK ChipFET surface-mount style, so pad layouts must match a low-profile SMT footprint and allow thermal vias or copper pours for heat spread.

How does temperature affect continuous operation limits?


The component is specified to function from -55 °C to +150 °C, but thermal management is required to maintain power dissipation within ratings at elevated case temperatures.

What gate-drive considerations are there for switching performance?


Expect moderate gate-charge demand

driver capability should supply the typical 3.5 nC charge quickly to reduce switching losses while controlling dv/dt.

Is this suitable for automotive applications?


It is not designated to automotive standards, so it should not be used where automotive qualification is mandatory.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง