Vishay SI5936DU Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5936DU-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 256-7376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5936DU-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB42,237.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45,195.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB14.079 | THB42,237.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5936DU-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SI5936DU | |
| Package Type | PowerPAK ChipFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.04Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 10.4W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.85mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SI5936DU | ||
Package Type PowerPAK ChipFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.04Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 10.4W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.85mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay SI5936DU Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 6A Maximum Continuous Drain Current - SI5936DU-T1-GE3
This MOSFET is a surface-mount N-channel switching transistor designed for power-management duties in compact electronic assemblies. It operates across a wide ambient range and is intended for applications requiring efficient low-voltage switching and heat-handling in tight footprints.
Features and Benefits:
• 30V rating enables robust low-voltage switching capability
• 6A continuous current supports moderate power delivery
• 0.04 Ω Rds(on) minimises conduction losses
• 3.5 nC typical gate charge allows fast gate transitions
• 10.4W maximum dissipation handles significant thermal load
• 20V gate tolerance permits flexible drive-voltage choices
• 6A continuous current supports moderate power delivery
• 0.04 Ω Rds(on) minimises conduction losses
• 3.5 nC typical gate charge allows fast gate transitions
• 10.4W maximum dissipation handles significant thermal load
• 20V gate tolerance permits flexible drive-voltage choices
Applications
• Suitable for DC-DC converter output stage use
• Ideal for battery-management and power-path control
• Used with motor-driver stages for low-voltage motors
• Can be used for load switching in telecoms equipment
• Appropriate for compact power modules with height constraints
• Ideal for battery-management and power-path control
• Used with motor-driver stages for low-voltage motors
• Can be used for load switching in telecoms equipment
• Appropriate for compact power modules with height constraints
What package format should I plan for in PCB layout?
The device arrives in a PowerPAK ChipFET surface-mount style, so pad layouts must match a low-profile SMT footprint and allow thermal vias or copper pours for heat spread.
How does temperature affect continuous operation limits?
The component is specified to function from -55 °C to +150 °C, but thermal management is required to maintain power dissipation within ratings at elevated case temperatures.
What gate-drive considerations are there for switching performance?
Expect moderate gate-charge demand
driver capability should supply the typical 3.5 nC charge quickly to reduce switching losses while controlling dv/dt.
Is this suitable for automotive applications?
It is not designated to automotive standards, so it should not be used where automotive qualification is mandatory.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SI5936DU Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5936DU-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5448DU-T1-GE3
- Vishay SI5442DU Type N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5442DU-T1-GE3
- Vishay Si5418DU Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5418DU-T1-GE3
- Vishay Si5419DU Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3
- Vishay Type N Type P 6 A, 20 V PowerPAK ChipFET SI5517DU-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin ChipFET SI5468DC-T1-GE3
- Vishay SIS9634LDN 4 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS9634LDN-T1-GE3
