Vishay Type N-Channel MOSFET, 17 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IRL640PBF
- RS Stock No.:
- 256-7327
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL640PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB262.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB280.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 945 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB52.45 | THB262.25 |
| 10 - 20 | THB47.034 | THB235.17 |
| 25 - 95 | THB46.084 | THB230.42 |
| 100 - 495 | THB37.866 | THB189.33 |
| 500 + | THB30.36 | THB151.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7327
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL640PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.028Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-860 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.028Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-40-860 | ||
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Logic-level gate drive
Fast switching
Ease of paralleling
Simple drive requirements
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin TO-220
- Vishay Type N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin TO-220
- Vishay Type N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin TO-220 IRF630PBF
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220 IRFI540GPBF
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL640SPBF
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252 IRFR15N20DTRPBF
