DiodesZetex DMN2040U Type N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN2055UQ-7
- RS Stock No.:
- 254-8602
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2055UQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB281.775
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB301.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB11.271 | THB281.78 |
| 50 - 75 | THB11.041 | THB276.03 |
| 100 - 225 | THB6.006 | THB150.15 |
| 250 - 975 | THB5.887 | THB147.18 |
| 1000 + | THB2.907 | THB72.68 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-8602
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2055UQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | DMN2040U | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.36W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series DMN2040U | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.36W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodeZetex enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is applicable in general purpose interfacing sw
Low on resistance
Low input capacitance
ESD protected gate
Halogen and antimony Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMN2040U Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN2040U Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN2040U-7
- DiodesZetex DMN2040U Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN2053UQ-7
- DiodesZetex DMN2040U Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN2053UQ-13
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2399DS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3