Vishay Type P-Channel MOSFET, 20.5 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4151DY-T1-GE3

RS Stock No.:: 252-0244
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4151DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Type P-Channel MOSFET, 20.5 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4151DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB240.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB257.315

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

7,475 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB48.096	THB240.48
50 - 95	THB43.474	THB217.37
100 - 245	THB33.762	THB168.81
250 - 995	THB33.102	THB165.51
1000 +	THB21.976	THB109.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	20.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.01mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Maximum Power Dissipation Pd	5.6W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 20.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.01mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Maximum Power Dissipation Pd 5.6W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Vishay Type P-Channel MOSFET, 20.5 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4151DY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง