Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Stock No.:
- 249-6892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB135.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB145.124
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,970 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB67.815 | THB135.63 |
| 10 - 98 | THB61.035 | THB122.07 |
| 100 - 248 | THB54.865 | THB109.73 |
| 250 - 498 | THB49.525 | THB99.05 |
| 500 + | THB44.59 | THB89.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS-TM6 | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Half Bridge | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS-TM6 | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Half Bridge | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC60N04S6L030HATMA1
- Infineon Half Bridge IAUC60N04S6N050H Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge OptiMOSTM Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge IAUC45N04S6L063H Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1