Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 N-Channel Power MOSFET, 60 A, 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Stock No.:
- 249-6888
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUC60N04S6L030HATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB183,335.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB196,170.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB36.667 | THB183,335.00 |
| 10000 - 10000 | THB36.117 | THB180,585.00 |
| 15000 + | THB35.575 | THB177,875.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6888
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUC60N04S6L030HATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS-TM6 | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Half Bridge | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS-TM6 | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Half Bridge | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 N-Channel Power MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC60N04S6L030HATMA1
- Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge IAUC60N04S6N050H N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge OptiMOSTM N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge IAUC45N04S6L063H N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS N-Channel Power MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC300N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5IATMA1
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6