Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 333 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB208.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB223.42

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB208.80
10 - 99THB204.53
100 - 249THB200.62
250 - 499THB196.34
500 +THB192.43

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
236-1587
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPT013N08NM5LFATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

333A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

HSOF-8

Series

IPT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Width

10.58 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 80 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .

Ideal for hot-swap and e-fuse applications

Very low on-resistance RDS(on)

Wide safe operating area SOA

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating, halogen-free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง