Infineon IMZA Type N-Channel MOSFET, 225 A, 75 V N, 4-Pin TO-247 IMZA120R007M1HXKSA1

RS Stock No.:: 248-6674
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMZA120R007M1HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IMZA Type N-Channel MOSFET, 225 A, 75 V N, 4-Pin TO-247 IMZA120R007M1HXKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,789.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,914.59

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

166 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB1,789.34
10 - 49	THB1,746.40
50 - 99	THB1,704.49
100 - 149	THB1,663.59
150 +	THB1,623.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 248-6674
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMZA120R007M1HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	225A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-247
	Series	IMZA
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 225A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-247
	Series IMZA
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMZA120R007M1HXKSA1

The Infineon CoolSiC 1200 V, 7 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state of the art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability, these includes, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic and the CoolSiC MOSFETs are ideal for hard and resonant switching topologies like power factor correction (PFC) circuits, bi-directional topologies and DC-DC converters or DC-AC inverters.

VDSS - 1200 V at T - 25°C

IDCC - 225 A at T - 25°C

RDS(on) - 7 mohm at VGS - 18 V, T - 25°C

Very low switching losses

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) - 4.2 V

Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied

Robust body diode for hard commutation

XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Infineon IMZA Type N-Channel MOSFET, 225 A, 75 V N, 4-Pin TO-247 IMZA120R007M1HXKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง