DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 246-6889
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT68M8LSS-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB28,275.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,250.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB11.31 | THB28,275.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 246-6889
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT68M8LSS-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.45mm | |
| Length | 4.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.85 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.45mm | ||
Length 4.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.85 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SO-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has working temperature range of -55°C to +150°C.
Maximum drain to source voltage is 60 V Maximum gate to source voltage is ±20 V It offers low on-resistance It has low gate threshold voltage It offers an ESD protected gate
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMT68M8LSS-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI1012-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8 DMTH10H032LFVW-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI1012-8 DMTH4001STLWQ-13
- DiodesZetex Type N 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
