DiodesZetex Type N, Type P-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 246-6781
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMHC6070LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB58,617.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB62,720.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB23.447 | THB58,617.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 246-6781
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMHC6070LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.25Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.25Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex makes a new generation complementary MOSFET H-Bridge, that features low on-resistance achievable with low gate drive. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SO-8 packaging. It offers fast switching and low input capacitance. It has working temperature range of -55°C to +150°C.
Maximum drain to source voltage is 60 V and maximum gate to source voltage is ±20 V 2 N-channel and 2 P-channels in a SOIC package It offers low on-resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type N 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMHC6070LSD-13
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 7.6 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC ZXMHC6A07N8TC
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC4040SSDQ-13
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC4050SSDQ-13
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMHC4035LSD-13
