DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMT68M8LSS-13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB431.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB461.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB17.26THB431.50
50 - 75THB16.69THB417.25
100 - 225THB16.14THB403.50
250 - 975THB15.607THB390.18
1000 +THB15.092THB377.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
246-7558
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT68M8LSS-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.73W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.45mm

Length

4.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SO-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has working temperature range of -55°C to +150°C.

Maximum drain to source voltage is 60 V Maximum gate to source voltage is ±20 V It offers low on-resistance It has low gate threshold voltage It offers an ESD protected gate

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง