DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 99 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 246-6866
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT10H9M9SCT
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,413.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,512.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB28.265 | THB1,413.25 |
| 100 - 450 | THB27.699 | THB1,384.95 |
| 500 - 950 | THB27.145 | THB1,357.25 |
| 1000 + | THB26.602 | THB1,330.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 246-6866
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT10H9M9SCT
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 99A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.016Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.82 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.66mm | |
| Height | 31.24mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 99A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.016Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.82 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.66mm | ||
Height 31.24mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex makes a new generation N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain fast switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in TO220AB packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.
Maximum drain to source voltage is 100 V and Maximum gate to source voltage is ±20 V It offers low on-resistance It has high BVDSS rating for power application It offers low input capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 DMT10H9M9SCT
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin TO-220 DMT15H035SCT
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 DMT10H9M9LCT
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3636TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252