Infineon BSC0 N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin TDSON-8 FL BSC019N06NSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB244,840.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB261,980.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB48.968THB244,840.00
10000 - 10000THB47.756THB238,780.00
15000 +THB46.544THB232,720.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
241-9871
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC019N06NSATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

381A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON-8 FL

Series

BSC0

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon BSC0 Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 381A Maximum Continuous Drain Current - BSC019N06NSATMA1


This MOSFET is a high-current N-channel switching device designed for surface-mount power applications where low on-resistance and fast gate response are required. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and is supplied in a Compact TDSON-8 FL package for board-level integration.

Features and Benefits:


• Ultra-low Rds(on) 0.7 mΩ reduces conduction losses and heat generation
• Maximum continuous Id 381 A supports high-current delivery in systems
• Vds 40 V permits use in mid-voltage power rails and converters
• Pd 81 W enables significant power handling without immediate thermal runaway
• Qg 80 nC gate charge allows Rapid switching for dynamic loads
• Vgs 20 V gate rating affords flexible gate-drive voltages for control circuits

Applications


• Suitable for high-current synchronous rectification stages
• Ideal for power conversion in server and telecoms equipment
• Used for motor-drive half-bridges and H‑bridge configurations
• Can be used for battery management and DC-DC converters
• Used with high-power MOSFET arrays on Compact power boards

What package and mounting style does it use?


It is supplied in a TDSON-8 FL package and intended for surface mounting on PCBs.

What thermal range can it withstand in operation?


The device functions between −55 °C and 175 °C for extended environmental tolerance.

What characteristic affects switching speed and gate drive requirements?


The typical gate charge is 80 nC which determines drive current and switching transitions.

How does the forward voltage impact conduction performance?


A forward voltage of 1 V influences power loss during conduction and must be accounted for in thermal design.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง