Infineon BSC0 N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin TDSON-8 FL BSC019N06NSATMA1
- RS Stock No.:
- 241-9871
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC019N06NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB244,840.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB261,980.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB48.968 | THB244,840.00 |
| 10000 - 10000 | THB47.756 | THB238,780.00 |
| 15000 + | THB46.544 | THB232,720.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9871
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC019N06NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 381A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON-8 FL | |
| Series | BSC0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 381A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON-8 FL | ||
Series BSC0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon BSC0 Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 381A Maximum Continuous Drain Current - BSC019N06NSATMA1
This MOSFET is a high-current N-channel switching device designed for surface-mount power applications where low on-resistance and fast gate response are required. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and is supplied in a Compact TDSON-8 FL package for board-level integration.
Features and Benefits:
• Ultra-low Rds(on) 0.7 mΩ reduces conduction losses and heat generation
• Maximum continuous Id 381 A supports high-current delivery in systems
• Vds 40 V permits use in mid-voltage power rails and converters
• Pd 81 W enables significant power handling without immediate thermal runaway
• Qg 80 nC gate charge allows Rapid switching for dynamic loads
• Vgs 20 V gate rating affords flexible gate-drive voltages for control circuits
• Maximum continuous Id 381 A supports high-current delivery in systems
• Vds 40 V permits use in mid-voltage power rails and converters
• Pd 81 W enables significant power handling without immediate thermal runaway
• Qg 80 nC gate charge allows Rapid switching for dynamic loads
• Vgs 20 V gate rating affords flexible gate-drive voltages for control circuits
Applications
• Suitable for high-current synchronous rectification stages
• Ideal for power conversion in server and telecoms equipment
• Used for motor-drive half-bridges and H‑bridge configurations
• Can be used for battery management and DC-DC converters
• Used with high-power MOSFET arrays on Compact power boards
• Ideal for power conversion in server and telecoms equipment
• Used for motor-drive half-bridges and H‑bridge configurations
• Can be used for battery management and DC-DC converters
• Used with high-power MOSFET arrays on Compact power boards
What package and mounting style does it use?
It is supplied in a TDSON-8 FL package and intended for surface mounting on PCBs.
What thermal range can it withstand in operation?
The device functions between −55 °C and 175 °C for extended environmental tolerance.
What characteristic affects switching speed and gate drive requirements?
The typical gate charge is 80 nC which determines drive current and switching transitions.
How does the forward voltage impact conduction performance?
A forward voltage of 1 V influences power loss during conduction and must be accounted for in thermal design.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON-8 FL BSC019N06NSATMA1
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON BSC025N08LS5ATMA1
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON BSC027N06LS5ATMA1
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TDSON BSC007N04LS6ATMA1
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
