Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Stock No.:
- 241-9667
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC018NE2LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB127,485.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB136,410.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB25.497 | THB127,485.00 |
| 10000 - 10000 | THB24.305 | THB121,525.00 |
| 15000 + | THB23.114 | THB115,570.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9667
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC018NE2LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 381A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Series | BSC0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 381A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Series BSC0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel power MOSFET has 25 V drain source voltage (VDS) & 153 A drain current (ID). It's ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, makes it the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. It saves overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters and reduce power losses and increase efficiency for all load conditions.
Optimized for high performance buck converter
Monolithic integrated schottky like diode
Very low on-resistance RDS(on)@VGS = 4.5V
100% avalanche tested
N-channel
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC018NE2LSIATMA1
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC026NE2LS5ATMA1
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC021N08NS5ATMA1
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC022N04LS6ATMA1
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC022N04LSATMA1
- Infineon BSC0 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC026N08NS5ATMA1