onsemi NTHL N-Channel MOSFET, 58 A, 1.2 kV, 5-Pin TO-247 NTHL045N065SC1
- RS Stock No.:
- 241-0744
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL045N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB428.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB458.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 305 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB428.30 |
| 10 - 24 | THB402.46 |
| 25 - 49 | THB376.62 |
| 50 - 99 | THB350.78 |
| 100 + | THB324.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-0744
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL045N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NTHL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 105nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NTHL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
The ON Semiconductor 650 V, 42 mΩ N-Channel silicon carbide MOSFET. Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
High Junction Temperature
High Speed Switching and Low Capacitance
Max RDS(on) = 50 mΩ at Vgs = 18V, Id = 66A
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTHL N-Channel MOSFET 1.2 kV, 5-Pin TO-247 NTHL045N065SC1
- onsemi NTD N-Channel MOSFET 1.2 kV, 5-Pin TO-252 NTD5C632NLT4G
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L025N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-247 NTHL015N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L075N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL025N065SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L040N120SC1