onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB13,211.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,135.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • 390 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB440.372THB13,211.16
60 - 90THB430.798THB12,923.94
120 +THB421.225THB12,636.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
189-0253
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTHL033N65S3HF
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

NTHL

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

188nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.82 mm

Height

20.82mm

Length

15.87mm

Automotive Standard

No

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 188 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1568 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 28 mΩ

Benefits

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower switching loss

Higher system reliability at low temperature operation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง