onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 178-4256
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTHL110N65S3F
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB5,250.84

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,618.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 390 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB175.028	THB5,250.84
60 - 90	THB171.223	THB5,136.69
120 +	THB167.418	THB5,022.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-4256
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTHL110N65S3F
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	NTHL
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.82 mm
	Length	15.87mm
	Height	20.82mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series NTHL
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.82 mm
	Length 15.87mm
	Height 20.82mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง