Vishay Type N-Channel MOSFET, 214 A, 40 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ENW-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 239-8683
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS140ENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB365.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB390.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB36.519 | THB365.19 |
| 50 - 90 | THB35.815 | THB358.15 |
| 100 - 240 | THB35.111 | THB351.11 |
| 250 - 990 | THB34.406 | THB344.06 |
| 1000 + | THB26.779 | THB267.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8683
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS140ENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 214A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.000253Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 197W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 214A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SLW | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.000253Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 197W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 40 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
Low resistance
AEC-Q101 qualified
UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS141ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS142ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS160ELNW-T1_GE3