Microchip VP2206 Type P-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP2206N3-G

RS Stock No.:: 239-5621
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP2206N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip VP2206 Type P-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP2206N3-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB396.77

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB424.545

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

55 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 455 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB79.354	THB396.77
50 - 95	THB65.726	THB328.63
100 - 245	THB59.49	THB297.45
250 - 495	THB58.33	THB291.65
500 +	THB57.172	THB285.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-5621
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP2206N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-92
	Series	VP2206
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-92
	Series VP2206
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - VP2206N3-G

The Microchip VP2206 series are enhancement-mode (normally-off) transistors which utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. These vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

It has a Free from secondary breakdown

It has a Low power drive requirement

It offers an ease of paralleling, low CISS and fast switching speeds

It has high input impedance and high gain with excellent thermal stability

It has an integral source-to-drain diode

Microchip VP2206 Type P-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP2206N3-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง