Microchip VP2206 Type P-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 1000 ชิ้น)*

THB67,125.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB71,824.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
1000 +THB67.125THB67,125.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-5620
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
VP2206N3-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

VP2206

Package Type

TO-92

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Microchip VP2206 series are enhancement-mode (normally-off) transistors which utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. These vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

It has a Free from secondary breakdown

It has a Low power drive requirement

It offers an ease of paralleling, low CISS and fast switching speeds

It has high input impedance and high gain with excellent thermal stability

It has an integral source-to-drain diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง