Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 IPZA65R018CFD7XKSA1
- RS Stock No.:
- 236-3681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB519.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB555.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB519.01 |
| 10 - 99 | THB475.79 |
| 100 - 249 | THB439.20 |
| 250 - 499 | THB407.69 |
| 500 + | THB396.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 236-3681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 106A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-247-4 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 446W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 234nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 106A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-247-4 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 446W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 234nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.1mm | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS super junction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies. It is ideally suited for industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. It has drain current of 106 A.
Excellent hard-commutation ruggedness
Extra safety margin for designs with increased bus voltage
Enabling increased power density
Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications
Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications
Price competitiveness compared to alternative offerings in the market
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V, 4-Pin TO-247-4 IPZA65R018CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZ65R065C7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247 IPW65R018CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R048CFDAFKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R155CFD7XKSA1