Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW65R018CFD7XKSA1
- RS Stock No.:
- 232-3049
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB509.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB545.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB509.44 |
| 10 - 99 | THB499.20 |
| 100 - 249 | THB489.22 |
| 250 - 499 | THB479.52 |
| 500 + | THB469.82 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-3049
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 106A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 234nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.21 mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 106A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 234nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.21 mm | ||
Length 16.13mm | ||
Height 21.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CFD7 is super junction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. The CoolMOS CFD7 technology meets highest efficiency and reliability standards and further more supports high power density solutions.
Ultrafast body diode and very low Qrr
650V breakdown voltage
Significantly reduced switching losses compared to competition
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V, 4-Pin TO-247-4 IPZA65R018CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R041P6FKSA1