Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 433 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5IATMA1
- RS Stock No.:
- 236-3644
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC005N03LS5IATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB182,010.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB194,750.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB36.402 | THB182,010.00 |
| 10000 - 10000 | THB35.002 | THB175,010.00 |
| 15000 + | THB34.559 | THB172,795.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 236-3644
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC005N03LS5IATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 433A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.5mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 6.35 mm | |
| Length | 5.49mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 433A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS™ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Width 6.35 mm | ||
Length 5.49mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.55 m Ohm.
Highest efficiency
Highest power density in SuperSO8 package
Reduction of overall system costs
RoHS compliant
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5IATMA1
- Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5ATMA1
- onsemi NTMFS0D6N Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS0D6N Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS0D6N03CT1G
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC052N03LSATMA1