Toshiba T2N7002AK Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 T2N7002AK,LM(T
- RS Stock No.:
- 236-3584
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- T2N7002AK,LM(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB2,037.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,181.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 42,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB0.679 | THB2,037.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 236-3584
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- T2N7002AK,LM(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | T2N7002AK | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2mΩ | |
| Forward Voltage Vf | -0.87V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.27nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 2.4mm | |
| Width | 2.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series T2N7002AK | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ | ||
Forward Voltage Vf -0.87V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.27nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.8mm | ||
Length 2.4mm | ||
Width 2.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba field effect transistor MADE up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.
Storage temperature range −55 to 150 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba T2N7002AK Type N-Channel MOSFET 60 VLM(T
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS138AKA Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138AKAR
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002NH6327XTSA2
- Infineon SN7002I Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002IXTSA1
- Nexperia BSS138AKA Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SN7002I Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23