Toshiba Bipolar Transistor, 200 mA NPN, 50 V, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB2,700.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,880.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 39,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB0.90THB2,700.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
236-3586
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TBC847B,LM(T
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

200mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

60V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

200

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

320mW

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

6V

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

TBC847

Standards/Approvals

No

Height

0.95mm

Length

2.9mm

Automotive Standard

No

The Toshiba bipolar transistor MADE up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.

Storage temperature range −55 to 150 °C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง