Toshiba Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J338R,LF(T

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,301.20

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB5,838.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,246.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 12,400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
50 - 50THB116.762THB5,838.10-
100 - 200THB103.75THB5,187.50THB1,301.20
250 - 450THB101.616THB5,080.80THB3,786.50
500 - 950THB99.643THB4,982.15THB8,559.50
1000 +THB93.387THB4,669.35THB23,375.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
236-3569
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SSM3J338R,LF(T
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26.3mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

750mV

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.9mm

Standards/Approvals

No

Height

800μm

Length

2.4mm

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor MADE up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง