onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC606P
- RS Stock No.:
- 166-2690
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC606P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB47,055.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB50,349.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB15.685 | THB47,055.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB15.214 | THB45,642.00 | 3% |
| 12000 + | THB14.758 | THB44,274.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-2690
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC606P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 53mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -0.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 53mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -0.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC606P
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC658P
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC640P
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC654P
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC658AP
