Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 454 A, 60 V, 8-Pin HSOF-8 IPT008N06NM5LFATMA1
- RS Stock No.:
- 236-1584
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB274,288.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB293,488.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB137.144 | THB274,288.00 |
| 4000 - 4000 | THB130.286 | THB260,572.00 |
| 6000 + | THB123.772 | THB247,544.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 236-1584
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 454A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.8mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 185nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Width | 10.58 mm | |
| Length | 10.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 454A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 185nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.4mm | ||
Width 10.58 mm | ||
Length 10.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 60 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .
Ideal for hot-swap and e-fuse applications
Very low on-resistance RDS(on)
Wide safe operating area SOA
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating, halogen-free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin HSOF-8 IPT008N06NM5LFATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSOF-8 IPT60R040S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT044N15N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8