Infineon ISC N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 8-Pin TDSON ISC060N10NM6ATMA1

RS Stock No.:: 235-4868
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC060N10NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISC N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 8-Pin TDSON ISC060N10NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 5000)*

THB294,530.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB315,145.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB58.906	THB294,530.00
10000 - 10000	THB55.96	THB279,800.00
15000 +	THB53.162	THB265,810.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 235-4868
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC060N10NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	97A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TDSON
	Series	ISC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	5.35mm
	Length	6.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.2mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 97A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TDSON
	Series ISC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 5.35mm
	Length 6.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC060N10NM6ATMA1

Infineon ISC Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 97A Maximum Continuous Drain Current - ISC060N10NM6ATMA1

This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for high-current switching and power conversion tasks in demanding environments. It operates across an extended temperature range and is intended for applications requiring significant drain current and elevated voltage capability while using a Compact package.

Features and Benefits:

• 100V maximum drain voltage enables high-voltage switching
• 97A continuous drain current supports heavy current loads
• 6mΩ maximum Rds(on) minimises conduction losses
• 125W maximum power dissipation allows sustained power handling
• 33nC typical gate charge enables predictable gate-drive sizing
• 20V maximum gate-source rating protects against overdrive events

Applications

• Suitable for high-current power converters in industrial systems
• Ideal for synchronous rectification in switching supplies
• Used with motor drivers requiring robust current capacity
• Can be used for battery management and power distribution
• Suitable for Compact surface-mount power assemblies

What ambient temperatures can it tolerate during operation?

It is specified to operate from -55°C up to 175°C.

How does the package influence PCB assembly and thermal routing?

The TDSON surface-mount package with eight pins facilitates automated placement and thermal connection to PCB copper for heat dissipation.

What gate-drive considerations are implied by its gate charge?

With a typical gate charge of 33nC, designers should size the driver current to achieve required switching speeds while managing switching losses.

What electrical limits must be observed to prevent device damage?

The device must not be exposed to gate-source differentials above 20V and drain-source voltages above 100V.

How does its channel type affect switching behaviour?

Being an N‑channel device, it offers low on-resistance for high-side or low-side switching where low conduction loss is required.