Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 192 A, 100 V, 8-Pin TDSON ISC027N10NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 235-4864
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC027N10NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB344,365.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB368,470.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB68.873 | THB344,365.00 |
| 10000 - 10000 | THB65.429 | THB327,145.00 |
| 15000 + | THB62.158 | THB310,790.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-4864
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC027N10NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 192A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | ISC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.24mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 91nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 1.1 mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 192A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TDSON | ||
Series ISC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.24mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 1.1 mm | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™ 6 industrial power MOSFET 100V is designed for high switching frequency application such as telecom and server power supply, but also the Ideal choice for other applications such as solar, power tools and drones. Compared to alternative products, Infineon’s leading thin wafer technology is enabling significant performance benefits.
Lower and softer reverse recovery charge
Ideal for high switching frequency
High avalanche energy rating
RoHS compliant
Low conduction losses
Low switching losses
Environmentally friendly
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON ISC027N10NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON ISC080N10NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC019N04NM5ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC017N04NM5ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC058N04NM5ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC028N04NM5ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin TDSON-8 FL ISC036N04NM5ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON ISC230N10NM6ATMA1