Infineon ISC N-Channel MOSFET, 192 A, 100 V, 8-Pin TDSON ISC027N10NM6ATMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB344,365.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB368,470.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB68.873THB344,365.00
10000 - 10000THB65.429THB327,145.00
15000 +THB62.158THB310,790.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
235-4864
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISC027N10NM6ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

192A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

ISC

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.24mΩ

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

91nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

6.1mm

Height

5.1mm

Automotive Standard

No

Infineon ISC Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 245W Maximum Power Dissipation - ISC027N10NM6ATMA1


This MOSFET is a high-current switching transistor designed for power conversion and motor-drive environments, offering robust operation across a wide temperature range and a surface-mount footprint suited to Compact assemblies. It provides low conduction loss and substantial current handling for demanding applications where voltage blocking and gate control are critical.

Features and Benefits:


• 100 V drain rating enables high-voltage switching capability
• 192 A continuous drain current supports heavy-load operation
• 2.24 mΩ Rds(on) minimises conduction losses for efficiency
• 245 W power dissipation allows sustained power handling
• 91 nC typical gate charge balances drive requirements and switching speed
• 20 V gate-source rating permits wide gate drive headroom

Applications


• Suitable as a 100 V, 192 A power MOSFET for motor-drive
• Ideal for high-current DC-DC converters in Compact systems
• Used with battery management and traction inverter stages
• Can be used for power stages requiring low Rds(on) MOSFETs with 245 W power dissipation
• Suitable for high-temperature MOSFET environments from −55 °C to 175 °C

What mounting style is used for this component?


It is supplied in an 8‑pin TDSON surface-mount package designed for board-level assembly.

What thermal extremes can this device tolerate during operation?


The operational range extends from −55 °C up to 175 °C, allowing use in elevated-temperature conditions.

What is the forward voltage characteristic during conduction?


The forward voltage Vf is specified at 1 V under conduction conditions.

How many pins does this package present for PCB layout considerations?


The device has an 8‑pin configuration for thermal and electrical termination.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง