Infineon IPP Type P-Channel MOSFET, 62 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP330P10NMAKSA1
- RS Stock No.:
- 235-4861
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP330P10NMAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB146.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB156.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 455 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB146.66 |
| 10 - 99 | THB143.86 |
| 100 - 124 | THB140.76 |
| 125 - 249 | THB137.97 |
| 250 + | THB135.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-4861
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP330P10NMAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | -189nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.36mm | |
| Width | 15.95 mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs -189nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.36mm | ||
Width 15.95 mm | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™ P-Channel MOSFETs 100V in TO-220 package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy Interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg. It is used in Battery management, Industrial automation.
Ideal for high and low switching frequency
Avalanche ruggedness
Industry standard footprint surface mount package
Robust, reliable performance
Increased security of supply
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP330P10NMAKSA1
- Infineon IPP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2
- Infineon IPP Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP120P04P4L03AKSA2
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP045N10N3GXKSA1
