Infineon IPP Type P-Channel MOSFET, 62 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP330P10NMAKSA1

RS Stock No.:: 235-4860
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP330P10NMAKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPP Type P-Channel MOSFET, 62 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP330P10NMAKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB4,331.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,634.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB86.631	THB4,331.55
100 - 100	THB82.299	THB4,114.95
150 +	THB78.184	THB3,909.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 235-4860
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP330P10NMAKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-220
	Series	IPP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	33mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	-189nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	15.95 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.57mm
	Length	10.36mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-220
	Series IPP
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs -189nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 15.95 mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.57mm
	Length 10.36mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP330P10NMAKSA1

The Infineon OptiMOS™ P-Channel MOSFETs 100V in TO-220 package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy Interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg. It is used in Battery management, Industrial automation.

Ideal for high and low switching frequency

Avalanche ruggedness

Industry standard footprint surface mount package

Robust, reliable performance

Increased security of supply

Infineon IPP Type P-Channel MOSFET, 62 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP330P10NMAKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง