STMicroelectronics STN3N Type N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 233-3091
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN3NF06
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB40,548.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB43,388.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 36,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB10.137 | THB40,548.00 |
| 8000 - 8000 | THB9.63 | THB38,520.00 |
| 12000 + | THB9.149 | THB36,596.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-3091
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN3NF06
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | STN3N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series STN3N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Width 7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \"Single Feature Size™\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Exceptional dv/dt capability
Avalanche rugged technology
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STN3N Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN3NF06
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN3NF06L
- onsemi NDT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT3055L
- DiodesZetex ZXMN10A25G Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex ZXMN10A25G Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZXMN10A25GTA
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223