STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 233-3038
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB37N60DM2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB191,161.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB204,542.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB191.161 | THB191,161.00 |
| 2000 - 2000 | THB187.338 | THB187,338.00 |
| 3000 + | THB183.591 | THB183,591.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-3038
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB37N60DM2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | STB37N60 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 94mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 210W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Height | 4.6mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Length | 15.85mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series STB37N60 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 94mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 210W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Height 4.6mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Length 15.85mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB37N60DM2AG
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH12N120K5-2
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB28N60EF-GE3
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF35N60DM2