STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB37N60DM2AG
- RS Stock No.:
- 233-3039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB37N60DM2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB233.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB249.89
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 970 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB233.54 |
| 10 - 99 | THB227.70 |
| 100 - 249 | THB221.99 |
| 250 - 499 | THB216.44 |
| 500 + | THB211.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-3039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB37N60DM2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | STB37N60 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 94mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 210W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.85mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Width | 10.4 mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series STB37N60 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 94mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 210W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.85mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Width 10.4 mm | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH12N120K5-2
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB28N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF35N60DM2