onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 124-1330
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDB28N30TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB33,156.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB35,477.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
800 - 800	THB41.446	THB33,156.80
1600 - 2400	THB40.202	THB32,161.60
3200 +	THB38.996	THB31,196.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-1330
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDB28N30TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	300V
	Series	UniFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	129mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Width	11.33 mm
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 300V
	Series UniFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 129mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Width 11.33 mm
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.

UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง